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Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

MOSFET Canal P con voltaje de 50 V
Corriente continua de drenaje de 18 A
RDS(on) máxima de 0.14 Ω a 10 V
Disipación de potencia de 74 W
Capacitancia de entrada de 900 pF a 25 V
Paquete TO-220AB para montaje en PCB

Modelo

IRF9Z30

Marca

32111602Transistor de efecto de campo (fet)

3 años de garantía

Precio de lista:$173.38-47%

$92.47

IVA incluido

TC: $17.18 MXN/USD · IVA 16% incluido

5+5 próximamente

IRF9Z30

SIHF9Z30

Información técnica

Especificaciones

Ficha del fabricante

Transistor de Potencia MOSFET

Tipo: Canal P
Voltaje: 50 Volt
Corriente: 18 Amp.
Rds: 0.14 Ohm
Potencia: 74 Watt
Paquete: TO-220AB
Aplicación: Analizador III

Características Técnicas

FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Especificaciones Adicionales

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
FET Feature: -
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

Información del Paquete

Supplier Device Package: TO-220AB
Package / Case: TO-220-3
Base Product Number: IRF9Z30

Características principales

MOSFET Canal P con voltaje de 50 V
Corriente continua de drenaje de 18 A
RDS(on) máxima de 0.14 Ω a 10 V
Disipación de potencia de 74 W
Capacitancia de entrada de 900 pF a 25 V
Paquete TO-220AB para montaje en PCB

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

Especificaciones

Transistor de Potencia MOSFET

Características principales

Alternativas Similares

Resistencia de Potencia / 15 Ohm / 10 W / ±5% / -55°C a +155°C / Cerámica Al₂O₃-SiO₂

Transistor MOSFET / Doble Puerta / Canal N / 105 MHz / Encapsulado TO-18

Capacitor Electrolítico Radial / 100 µF / 25 Vcc / 105 °C / 6.3 x 11 mm / Corriente de Rizado 170 mA RMS

Capacitor Electrolítico Radial / 220 µF / 35 Vcc / 105 °C / 10 x 12.5 mm / Corriente de Rizado 440 mA RMS

Capacitor Electrolítico Radial / 470 µF / 25 Vcc / 105 °C / 8 x 15 mm

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

Especificaciones

Transistor de Potencia MOSFET

Características principales

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Resistencia de Potencia / 15 Ohm / 10 W / ±5% / -55°C a +155°C / Cerámica Al₂O₃-SiO₂

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Capacitor Electrolítico Radial / 100 µF / 25 Vcc / 105 °C / 6.3 x 11 mm / Corriente de Rizado 170 mA RMS

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Capacitor Electrolítico Radial / 470 µF / 25 Vcc / 105 °C / 8 x 15 mm

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