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TARJETAS SANDISK® INDUSTRIAL GRADE SD™ Y MICROSD™
- Rango de temperatura -25°C a 85°C
- Resistencia hasta 384 terabytes escritos
- Capacidades de 8GB a 128GB
- Diseño duradero: resistente al agua, golpes y vibraciones
- Protección contra rayos X, imanes e impactos
- Gestión avanzada de memoria con ECC y nivelación de desgaste
Modelo
DVSD
SAT
43202005Tarjeta flash de almacenamiento de memoria
3 años de garantía
Precio de lista:$16,158.80-23%
MXN
$12,503.68
IVA incluido
TC: $17.50 MXN/USD · IVA 16% incluido
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Especificaciones tecnicas de FEDERAL SIGNAL INDUSTRIAL DVSD
Características
- Rango de temperatura de funcionamiento: -25 °C a 85 °C y -40°C a 85°C
- Alta resistencia: Hasta 384 Terabytes escritos
- Amplia cartera: de 8 GB a 128 GB
- Ciclo de vida extendido del producto
- Gestión avanzada de memoria FW características potencia inmunidad, actualización de lectura automática/manual, ECC, nivelación de desgaste
- Funciones avanzadas para mejorar la confiabilidad y la utilidad incluyendo medidor de estado de salud, identificación programable
- Bloqueo de host (bloqueo de propiedad de la tarjeta), FFU seguro
- Protección dinámica contra volteo de bits
- Diseño duradero: resistente al agua, a los golpes y a las vibraciones
- a prueba de rayos X, a prueba de imanes, a prueba de impactos*
- Voltaje de funcionamiento: 2,7 V a 3,6 V
Beneficios de negocio
- Ofrece un menor coste total de propiedad del sistema
- Permite análisis en tiempo real en el borde
- Reduce el tráfico de la red
- Proporciona copia de seguridad local confiable
- Maximice la disponibilidad del sistema con el medidor de estado de salud, garantizar un mantenimiento preventivo oportuno
Aplicaciones industriales
- Vigilancia
- Transporte
- PC industriales
- Automatización industrial
- Redes
- Medicina y Agricultura
Características Principales
- Rango de temperatura -25°C a 85°C
- Resistencia hasta 384 terabytes escritos
- Capacidades de 8GB a 128GB
- Diseño duradero: resistente al agua, golpes y vibraciones
- Protección contra rayos X, imanes e impactos
- Gestión avanzada de memoria con ECC y nivelación de desgaste
