MRF1517T1.PDF
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Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc
- Transistor RF tipo N de alta potencia
- Frecuencia máxima 520 MHz con 8 W
- Operación estable a 7.5 Vcc
- Ganancia de potencia de 11 dB
- Eficiencia del 55% en RF
- Diseño SMD para montaje superficial
Precio de lista:$1,223.17-31%
MXN
$842.77
IVA incluido
TC: $16.98 MXN/USD · IVA 16% incluido
21+21 próximamente
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Información técnica
Especificaciones
El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7,5 voltios
Rendimiento especificado @ 520 MHz,7.5 Volts.
- Potencia de salida 8 Watts.
- Ganancia de potencia 11dB.
- Eficiencia- 55%.
- Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie.
- Excelente estabilidad térmica.
- Capaz de manejar 20:1 VSWR, @ 9,5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación.
- Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.
Características principales
- Transistor RF tipo N de alta potencia
- Frecuencia máxima 520 MHz con 8 W
- Operación estable a 7.5 Vcc
- Ganancia de potencia de 11 dB
- Eficiencia del 55% en RF
- Diseño SMD para montaje superficial
