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Diodo de Silicio de Recuperación Estándar 1N1184A, VRMS-70, VF-1.2, IF-35A, Cátodo en Base del DO-5.
- Diodo de silicio de recuperación estándar
- Alta capacidad de sobrecarga 595 A
- Voltaje inverso RMS 70 V
- Corriente directa continua 35 A
- Temperatura operación -55 a +150 °C
- Cátodo en base del encapsulado DO-5
Precio de lista:$516.40-31%
MXN
$355.80
IVA incluido
TC: $17.05 MXN/USD · IVA 16% incluido
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Producto Agotado
Información técnica
Especificaciones
Características Principales
- Diodo de Silicio de Recuperación Estándar
- Tipo: Potencia Estándar 1N1184A
- Polaridad Estándar: Cátodo en la Base
- Alta Capacidad de Sobrecarga
- No Sensitivo a Descargas Electrostáticas (ESD)
- Temperatura de Operación: -55 a +150 °C
Especificaciones Eléctricas
- Voltaje Repetitivo de Pico Inverso: 100 V
- Voltaje Inverso RMS: 70 V
- Voltaje de Bloqueo DC: 100 V
- Corriente Directa Continua: 35 A
- Corriente de Sobrecarga: 595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal)
- Voltaje Directo: 1.2 V (IF = 35 A, Tj = 25 °C)
- Corriente Inversa: 10 μA (VR = 50 V, Tj = 25 °C)
Especificaciones Térmicas
- Resistencia Térmica (Junto a Carcaza): 0.25 °C/W
- Temperatura de Almacenamiento: -55 a +150 °C
Características principales
- Diodo de silicio de recuperación estándar
- Alta capacidad de sobrecarga 595 A
- Voltaje inverso RMS 70 V
- Corriente directa continua 35 A
- Temperatura operación -55 a +150 °C
- Cátodo en base del encapsulado DO-5
