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TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2
- Transistor FET de alta potencia
- Voltaje máximo de 850V
- Corriente continua de 110A
- Disipación de potencia de 150W
- Tecnología avanzada de encapsulado TO-247
- Aplicación en sistemas de conmutación de alta eficiencia
Modelo
RD60-HUF1-101
Marca
SAT
32101500Conjuntos de circuitos y componentes de radiofrecuencia (RF)
1 años de garantía
Precio de lista:$2,475.19-35%
MXN
$1,608.87
IVA incluido
TC: $17.44 MXN/USD · IVA 16% incluido
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Etiqueta Producto
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Especificaciones tecnicas de MITSUBISHI RD60-HUF1-101
Características
- Producto: TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2
- Marca: MITSUBISHI
- Modelo: RD60HUF1101
- Modo: MEJORAR_BASICO
Características Principales
- Transistor FET de alta potencia
- Voltaje máximo de 850V
- Corriente continua de 110A
- Disipación de potencia de 150W
- Tecnología avanzada de encapsulado TO-247
- Aplicación en sistemas de conmutación de alta eficiencia