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Puente Rectificador de Silicio, 4 Amp. 600 Volt, Fase Sencilla, Encapsulado KBL.

Puente rectificador de silicio de 4 A
Voltaje operativo hasta 600 V
Diseño monofásico para circuitos básicos
Encapsulado KBL para fácil instalación
Eficiencia alta en rectificación de corriente
Capacidad de corriente pico de 120 A

Modelo

KBL-406G

Marca

32111500Diodos

3 años de garantía

Precio de lista:$34.27-31%

$23.61

IVA incluido

TC: $16.98 MXN/USD · IVA 16% incluido

200+200 próximamente

kbl406g_thru_kbl410g

Información técnica

Especificaciones

Ficha del fabricante

Características Principales

Puente rectificador de silicio de 4 A
Voltaje de operación hasta 600 V
Diseño de fase sencilla para circuitos básicos
Encapsulado KBL para instalación sencilla
Alta eficiencia en rectificación de corriente

Especificaciones Eléctricas

Corriente rectificada promedio máxima: 4 A
Corriente de pico de sobrecarga: 120 A
Tensión de pico inversa repetitiva: 600 V
Tensión RMS inversa: 420 V
Tensión DC bloqueo: 600 V
Tensión directa máxima por terminal: 1.1 V
Corriente inversa máxima: 5 μA

Características Mecánicas

Encapsulado: KBL
Material del encapsulado: Plástico moldeado
Terminales: Chapados en plata, soldables según MIL-STD-202F, Método 208
Polaridad: Marcada en el cuerpo
Peso: 5 gramos (0.167 onzas)
Posición de montaje: Cualquier posición

Rangos de Temperatura

Operación: -50°C a 150°C
Almacenamiento: -50°C a 150°C

Características Adicionales

Diseño no sensible a ESD
Construcción económica con técnica de plástico moldeado
Terminales de cobre con plata chapada
Alta capacidad de corriente de pico

Características principales

Puente rectificador de silicio de 4 A
Voltaje operativo hasta 600 V
Diseño monofásico para circuitos básicos
Encapsulado KBL para fácil instalación
Eficiencia alta en rectificación de corriente
Capacidad de corriente pico de 120 A

Puente Rectificador de Silicio, 4 Amp. 600 Volt, Fase Sencilla, Encapsulado KBL.

Especificaciones

Características Principales

Características principales

Alternativas Similares

Resistencia de Potencia / 15 Ohm / 10 W / ±5% / -55°C a +155°C / Cerámica Al₂O₃-SiO₂

Transistor MOSFET / Doble Puerta / Canal N / 105 MHz / Encapsulado TO-18

Capacitor Electrolítico Radial / 100 µF / 25 Vcc / 105 °C / 6.3 x 11 mm / Corriente de Rizado 170 mA RMS

Capacitor Electrolítico Radial / 220 µF / 35 Vcc / 105 °C / 10 x 12.5 mm / Corriente de Rizado 440 mA RMS

Capacitor Electrolítico Radial / 470 µF / 25 Vcc / 105 °C / 8 x 15 mm

Puente Rectificador de Silicio, 4 Amp. 600 Volt, Fase Sencilla, Encapsulado KBL.

Especificaciones

Características Principales

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Capacitor Electrolítico Radial / 470 µF / 25 Vcc / 105 °C / 8 x 15 mm

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