Transistor NPN de Silicón SD1477, 175 MHz, 12.5 Vcc, 100 Watt.

Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
Potencia de salida máxima de 100 vatios
Voltaje de colector de 12.5 VCC
Diseño robusto para alta eficiencia energética
Impedancia entrada 1.5 - j0.9 y carga 0.5 - j1.0

Modelo

B2-160

Marca

32111607Transistores bipolares de radiofrecuencia (rf) o darlington

3 años de garantía

Precio de lista:$6,655.80-35%

$4,326.27

IVA incluido

TC: $17.44 MXN/USD · IVA 16% incluido

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Especificaciones tecnicas de TPL COMMUNICATIONS B2-160

Características Principales

Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
Potencia de salida máxima de 100 vatios
Voltaje de colector de 12.5 VCC
Diseño robusto para alta eficiencia energética

Aplicaciones

Sistemas de comunicación VHF
Transmisores FM
Amplificadores de potencia RF

Especificaciones RF

Frecuencia: 175 MHz
Potencia de salida: 100 W
Relación de ganancia: 6.0 dB
Impedancia entrada: 1.5 - j 0.9 Ω
Impedancia carga: 0.5 - j 1.0 Ω

Especificaciones Eléctricas

Voltaje colector-base: 36 V
Voltaje colector-emisor: 18 V
Voltaje emisor-base: 4.0 V
Corriente colector: 20 A
Disipación de potencia: 270 W

Especificaciones Térmicas

Resistencia térmica (junto-case): 0.65 °C/W
Temperatura de unión: +200 °C
Temperatura almacenamiento: -65 a +150 °C

Conexiones y Empaque

Conexión colector: Perno
Conexión base: Cable
Conexión emisor: Cable
Tipo de empaque: Sellado con epoxi

Condiciones de Prueba

Frecuencia: 175 MHz
Voltaje de prueba: 12.5 VCC
Potencia de entrada: 25 W
Clase de operación: Clase C

Características Principales

Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
Potencia de salida máxima de 100 vatios
Voltaje de colector de 12.5 VCC
Diseño robusto para alta eficiencia energética
Impedancia entrada 1.5 - j0.9 y carga 0.5 - j1.0