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Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).
- Tecnología MOSFET de canal N lateral
- Potencia de salida 70 W a 470 MHz
- Eficiencia del 60% con VDD de 12.5 VDC
- Capacidad VSWR de 20:1 para alta robustez
- Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C
- Ganancia de 11.5 dB en banda 135-520 MHz
Modelo
B2114
Marca
SAT
32111607Transistores bipolares de radiofrecuencia (rf) o darlington
3 años de garantía
Precio de lista:$2,796.99-50%
MXN
$1,392.74
IVA incluido
TC: $17.60 MXN/USD · IVA 16% incluido
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Especificaciones tecnicas de TPL COMMUNICATIONS B2114
Características Principales
- Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz
- Potencia de salida: 70 Watts
- Tensión de alimentación: 12.5 Vdc
- Ganancia: 11.5 dB
- Eficiencia: 60%
- Tecnología: MOSFET de canal N lateral
- Capacidad para manejar VSWR de 20:1
- Paquete plástico capaz de 200°C
- Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)
Aplicaciones
- Equipos de comunicación móvil FM
- Amplificadores de señal RF
- Equipos industriales y comerciales
- Sistemas de radiofrecuencia
Características de Diseño
- Estabilidad térmica excelente
- Parámetros de impedancia equivalente en serie
- Disponibilidad de información del amplificador de demostración
- Paquete plástico TO-272-8
- Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm)
Frecuencias de Operación
- 135-175 MHz
- 400-470 MHz
- 450-520 MHz
Configuración del Amplificador
- Amplificador de fuente común
- Polarización de compuerta y drenaje
- Redes de entrada/salida con microstrip
- Componentes pasivos de RF
Condiciones de Prueba
- VDD = 12.5 Vdc
- IDQ = 800 mA
- Frecuencia de prueba: 470 MHz
- Pout = 70 W
- Pin = 36-38 dBm
Componentes de Prueba
- Condensadores de chip de 100 mil
- Inductores de 1 a 2 vueltas
- Resistencias de chip (1206)
- Beads de ferrita
- Microstrip de diferentes dimensiones
- Condensadores electrolíticos
Condiciones Ambientales
- Temperatura de prueba: 25°C
- Temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C
- Temperatura de operación: Hasta 200 °C
Características Principales
- Tecnología MOSFET de canal N lateral
- Potencia de salida 70 W a 470 MHz
- Eficiencia del 60% con VDD de 12.5 VDC
- Capacidad VSWR de 20:1 para alta robustez
- Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C
- Ganancia de 11.5 dB en banda 135-520 MHz
